[1]邢志刚,贾海强,王文新,等.GaN基发光二极管研究进展[J].中国材料进展,2009,(7/8):016-19.
XING Zhigang,JIA Haiqiang,WANG Wenxin,et al.Progress in Research of GaNBased LightEmitting Diodes[J].MATERIALS CHINA,2009,(7/8):016-19.
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GaN基发光二极管研究进展
中国材料进展[ISSN:1674-3962/CN:61-1473/TG]
- 卷:
-
- 期数:
-
2009年第7/8期
- 页码:
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016-19
- 栏目:
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特约研究论文
- 出版日期:
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2009-09-18
文章信息/Info
- Title:
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Progress in Research of GaNBased LightEmitting Diodes
- 作者:
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邢志刚; 贾海强; 王文新; 陈 弘
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(中国科学院物理研究所清洁能源实验室，北京 100190)
- Author(s):
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XING Zhigang; JIA Haiqiang; WANG Wenxin; CHEN Hong
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（Clean Energy Laboratory,Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China)
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- 关键词:
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发光二极管; 氮化镓; 晶体生长
- 文献标志码:
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A
- 摘要:
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GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件，在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状，本研究组做出了有意义的富有创新性的工作：提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高；通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层，制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED。
更新日期/Last Update:
2009-10-23