[1]戴小林,常青.450 mm IC级硅单晶的制备[J].中国材料进展,2010,(10):021-24.
　DAI Xiaolin,CHANG Qing.Growth of 450 mm CZ Si Single Crystal of IC Grade[J].MATERIALS CHINA,2010,(10):021-24.
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450 mm IC级硅单晶的制备()
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中国材料进展[ISSN:1674-3962/CN:61-1473/TG]

卷:
期数:
2010年第10期
页码:
021-24
栏目:
特约研究论文
出版日期:
2010-11-13

文章信息/Info

Title:
Growth of 450 mm CZ Si Single Crystal of IC Grade
作者:
戴小林; 常青
北京有色金属研究总院半导体材料股份有限公司，北京 100088
Author(s):
DAI Xiaolin;  CHANG Qing
Semiconductor Materials Co, Ltd, GRINM，Beijing 100088，China
关键词:
硅单晶; 450 mm直径硅片; 制备
文献标志码:
A
摘要:
    450 mm直径的硅片面积比目前主流300 mm硅片面积大225倍，是下一代半导体芯片的衬底。国外许多半导体设备和材料公司已联手开展这方面的研究工作。从技术和市场角度讨论分析了以下问题：①投料量和单晶收率的关系；②籽晶的承重；③设备安全性，防止一氯化硅粉尘的爆燃；④晶体质量的控制，从热场的选择和设计、缺陷控制、单晶体金属控制等方面做了分析；⑤对当前国内外相关原材料的市场情况进行了讨论。文章指出，现在国内直径450 mm硅晶体生长的研发条件已经成熟。
更新日期/Last Update: 2010-12-20