【自旋电子学材料前沿专栏】 （特约编辑：北京航空航天大学 王聪教授、雷娜副教授，中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室  刘恩克研究员）

      随着集成电路晶体管尺寸接近物理极限而进入后摩尔时代，人们迫切需要新型信息处理技术。自旋电子学基于电子自旋实现信息计算、处理和存储，是一门富有活力的新兴交叉学科。基于自旋电子学的新材料、新物理效应与器件的研究成为国际前沿热点，新成果不断出现，并持续处于快速发展之中。与传统电子学器件相比，自旋电子学器件具有功耗低、速度快、非易失性等优点而受到广泛关注。本专栏特邀北京航空航天大学集成电路科学与工程学院王聪教授、雷娜副教授及中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室刘恩克研究员组织国内部分专家学者介绍“自旋电子学材料前沿”的相关工作和进展，希望为相关领域的研究者提供参考。

[1]方梅,郭旺,李郁泉,等.铁电-自旋电子器件的研究与进展[J].中国材料进展,2021,40(10):729-736.
http://www.mat-china.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=202108011

[2]郑文慧,边肖南,蔺涛,等.声表面波辅助亚铁磁CoTb薄膜中磁畴壁移动[J].中国材料进展,2021,40(10):737-742.
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[3]童树成,鲁军,缪冰锋,等.Co基Heusler合金薄膜的结构与性能研究进展[J].中国材料进展,2021,40(10):743-755.
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[4]王孟怡,邱志勇.导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应[J].中国材料进展,2021,40(10):756-766.
http://www.mat-china.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=202101019

[5]汤进,吴耀东,熊奕敏,等.透射电镜差分相位分析技术磁畴研究[J].中国材料进展,2021,40(11):851-860.
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[6]张强强,柳祝红,马星桥,等.三角反铁磁材料Mn3Z(Z=Ga,Ge,Sn) 的磁性和输运性质[J].中国材料进展,2021,40(11):861-870.
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[7]常钰婷,陆成亮.极性磁体的多铁性研究进[J].中国材料进展,2021,40(11):871-879.
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[8]盛路通,陈济雷,于海明.自旋波电子学研究进展[J].中国材料进展,2021,40(12):939-947.
http://www.mat-china.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=202106023

[9]杨晴,田祺云,李竞,等.自旋太赫兹源发展及其在生物医学的应用前景分析[J].中国材料进展,2021,40(12):948-961.
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[10]张伟,张晓强,刘永山,等.飞秒脉冲激光诱导超快自旋动力学研究进展[J].中国材料进展,2021,40(12):963-971.
http://www.mat-china.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=202107035

[11]吴闯文,崔宝山,朱增泰,等.零场下自旋轨道矩驱动垂直磁矩翻转[J].中国材料进展,2021,40(12):972-981.
http://www.mat-china.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=202111030

《中国材料进展》杂志社